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廈門阿米控技術有限公司

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縮小充電電池尺寸有助于減小選用無線感應充電電路的植入式設備的體積。無線感應充電器可為設備上裝置的微小薄膜(如CymbetEnerChip)充電式儲能器材安全地充電。感應充電器選用了并聯LC(電感、電容)諧振儲能電路的作業原理。圖1所示為Cymbet公司的CBC-EVAL-11RF感應充電器評價套件。

　　Vishay595D系列1000uF鉭電容被用作Cymbet接納電路板的C5電容，為無線電發射等負載提供脈沖電流。此款感應充電器的輸入與輸出之間具有良好的阻隔，這是醫用設備的重要要求。

　　在一些電壓較高的感應充電器使用中，需求選用高壓安穩的電容作為諧振電容。由于感應充電器的初級線圈需求選用交流電壓驅動，因而有必要對電容進行相應的調整。感應充電器需求具有高擊穿電壓(VBD)功能，一起，某些使用中還需求防護高壓電弧放電。為避免電弧放電，電路板一般敷有維護涂層，或者經過合理安排元器材布局到達高壓側與電路板其他部分阻隔的效果，等。但這種方法往往需求很大的電路板空間，由于高壓電路一般選用體積較大的引線型通孔插裝電容。

　　高壓電弧防護電容處理方案

　　為處理這一問題，Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護MLCC(多層貼片陶瓷電容)，可防止電弧放電，一起節約空間。這些新器材在較高的電壓定額內具有大容量，而且進步了電壓擊穿的耐受才能。高壓電弧放電會造成斷路，并有可能損壞其他元器材。標準的高壓SMD電容終究將會失效短路，這取決于電弧放電的次數和存在問題的部分。VishayHVArc防護電容能夠吸收所有的能量，因而，此電容能夠在高壓下進行正常作業，至少在到達高壓擊穿極限之前，不會發生破壞性電弧放電。

　　HVArc防護電容的VBD分布由器材選用的特規劃來操控，VBD可達3kV或以上。本產品選用了NPO和X7R電介質。

　　用于MRI的新式無磁電容

　　磁共振成像(MRI)設備內部或周邊電路中所運用的電容及其他電子元器材需求屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質、電極材料或端接材猜中可能含有鐵質或磁性材料。為進步圖像分辨率，MRI體系的磁場水平不斷進步，而MRI室內運用的電容會造成磁場畸變。因而，需求削減或消除大部分電容中的磁性材料。

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